По оценкам TrendForce, контрактные цены на микросхемы памяти выросли на 20% в первом квартале 2024 года. Это заставило компанию скорректировать ожидаемый рост цен на микросхемы памяти до 13–18% во втором квартале вместо небольшого роста в 3–8%, как предполагалось ранее.

Аналогичная тенденция роста цен на флэш-память NAND. В первом квартале он увеличился до 23–28%, в результате чего оценка во втором квартале 2024 года снизилась примерно до 15–20% по сравнению с предыдущей оценкой в ​​13–18%. Единственным положительным моментом является то, что ожидается, что во втором квартале объемы флэш-памяти eMMC/UFS вырастут всего на 10%, хотя это все равно довольно большой рост.

TrendForce полагает, что причиной столь сильного и неконтролируемого роста цен стало землетрясение в Хуаляне (Тайвань) 3 апреля. До землетрясения ожидалось, что цены на микросхемы памяти и флэш-память вырастут лишь незначительно из-за оставшихся запасов у производителей ПК и нежелания покупателей мириться с дальнейшим ростом цен.

Однако после землетрясения производители ПК по разным причинам были вынуждены пойти на резкое повышение контрактных цен на микросхемы памяти и флэш-память. В частности, в конце апреля один за другим завершился очередной раунд переговоров по контракту, а переговоры по цене контракта завершились с повышением, которое оказалось намного выше, чем ожидалось ранее. С одной стороны, производители готовы наращивать запасы, с другой — спрос на ИИ (искусственный интеллект) продолжает расти.

Особо стоит отметить, что искусственный интеллект испытывает огромный спрос на высокоскоростную память HBM, и OEM-производители расширяют производство. Например, HBM3E от Samsung использует передовой процесс и значительно расширит производство в третьем квартале. Ожидается, что к концу этого года эта мощность составит около 60%, что приведет к переполнению производственных мощностей DDR5 и дальнейшему росту цен.

Кроме того, серверы вывода ИИ все больше внимания уделяют энергоэффективности, отдавая приоритет твердотельным накопителям QLC корпоративного класса. Этот тип накопителей также потребует значительного объема производственных мощностей и приведет к дефициту памяти NAND потребительского класса.