Цены на чипы оперативной памяти и SSD резко выросли

По оценкам TrendForce, контрактные цены на микросхемы памяти выросли на 20% в первом квартале 2024 года. Это заставило компанию скорректировать ожидаемый рост цен на микросхемы памяти до 13–18% во втором квартале вместо незначительного роста в 3–8%, как предполагалось ранее.

То же самое касается и флеш-памяти NAND, которая выросла на 23–28% в первом квартале, что позволяет прогнозировать рост продаж на второй квартал 2024 года примерно до 15–20% по сравнению с 13–18% ранее. Единственный положительный момент заключается в том, что ожидается рост продаж флеш-памяти eMMC/UFS всего на 10% во втором квартале, хотя это всё равно довольно значительный рост.

TrendForce объяснила внезапный и неконтролируемый рост цен землетрясением 3 апреля в Хуаляне (Тайвань). До землетрясения ожидалось, что цены на микросхемы памяти и флеш-память вырастут незначительно из-за оставшихся запасов у производителей ПК и нежелания покупателей мириться с дальнейшим ростом цен.

Однако после землетрясения производители ПК по разным причинам начали мириться с резким ростом контрактных цен на микросхемы памяти и флэш-память. В частности, в конце апреля один за другим завершился очередной раунд переговоров о контрактных ценах, и переговоры о ценах завершились с ростом, значительно превышающим ожидаемый. С одной стороны, производители были готовы наращивать запасы, с другой – из-за продолжающегося роста спроса на искусственный интеллект (ИИ).

Стоит отметить, что искусственный интеллект предъявляет высокий спрос на высокоскоростную память HBM, и OEM-производители расширяют производство. Например, HBM3E от Samsung использует передовой техпроцесс и значительно расширит производство в третьем квартале. Ожидается, что к концу этого года доля этой мощности составит около 60%, что приведет к переполнению производственных мощностей DDR5 и дальнейшему росту цен.

Кроме того, серверы вывода ИИ все больше внимания уделяют энергоэффективности, отдавая предпочтение твердотельным накопителям QLC корпоративного уровня, которые также займут значительную часть производственных мощностей и приведут к дефициту памяти NAND потребительского уровня.