ChangXin Memory Technologies(CXMT)는 ​​삼성전자가 2018년 출시한 메모리 칩 세대와 유사한 중국 최초의 고급 듀얼 데이터 전송률 DRAM(LPDDR5) 메모리 칩을 성공적으로 생산했다고 밝혔습니다.

이러한 돌파구는 미국이 반도체 부문에서 중국의 발전을 방해하기 위해 첨단 기술 수출을 강화함에 따라 이루어졌습니다.

중국은 지금까지 ASML과 일본의 일부 공급업체의 주요 고급 리소그래피 시스템에 대한 접근이 차단되었습니다.

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CXMT의 DRAM은 2018년 출시된 삼성 제품만큼 강력하다는 평가를 받고 있다.

허페이에 본사를 둔 CXMT에 따르면 자사 제품 중 하나인 12기가바이트(GB) 버전은 샤오미, 트랜션 등 중국 스마트폰 업체에서 사용되고 있다.

회사는 새로운 메모리 칩이 이전 저전력 DDR4X에 비해 데이터 전송 속도와 용량이 50% 향상되고 전력 소비는 30% 감소했다고 밝혔습니다.

이전에 본토 기술 대기업인 Huawei Technologies는 국내에서 생산된 첨단 칩을 탑재한 Mate 60 Pro 스마트폰 모델로 세계를 놀라게 했습니다.

제3자 분석 보고서에 따르면 이 칩은 중국 최고의 칩 파운드리인 SMIC에서 제조될 수 있다고 결론지었습니다.

이번 주에는 중앙처리 칩 개발 전문업체인 룽슨도 2020년 인텔 CPU와 동등한 성능을 갖춘 3A6000 칩을 발표했다.

2016년에 설립된 CXMT는 글로벌 DRAM 시장에서 삼성전자, SK하이닉스 등 한국의 메모리 칩 대기업은 물론 마이크론 테크놀로지(Micron Technology)를 따라잡으려는 중국의 최선의 희망을 상징합니다.

삼성전자는 2018년 업계 최초로 8GB LPDDR5 칩을 선보인 데 이어 2021년 14nm 공정 기반의 16GB LPDDR5X 칩으로 업데이트해 이전 세대보다 1.3배 빠른 초당 최대 8,500Mbps의 데이터 처리 속도를 구현했다.

SK하이닉스는 2021년 3월 LPDDR5 모바일 DRAM 양산을 시작했고, 마이크론은 2020년 초 LPDDR5 칩을 발표해 샤오미의 Mi 10 스마트폰에 사용될 것이라고 밝혔습니다.

지난 10월 업데이트된 미국의 새로운 규정에 따라 리소그래피, 에칭, 증착, 주입, 세정 등 일련의 주요 칩 파운드리 장비가 모두 수출 제한 목록에 포함되어 베이징의 반도체 생산 능력이 로직 칩의 경우 약 14nm, DRAM 이하의 경우 18nm 하프피치, 3D NAND 메모리 칩의 경우 128단으로 최저 수준으로 제한됩니다.

(SCMP에 따르면)

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