ตามรายงานของ PhoneArena คาดว่าในปี 2025 TSMC และ Samsung Foundry จะเริ่มผลิตชิปขนาด 2 นาโนเมตรจำนวนมาก ซึ่งหมายความว่าชิปขนาด 1.8 นาโนเมตรจะทำให้ Intel สามารถเป็นผู้นำในกระบวนการผลิตชิปได้ มีรายงานว่า Intel จะใช้จ่ายเงินระหว่าง 300 ล้านถึง 400 ล้านเหรียญสหรัฐต่อเครื่อง EUV High-NA หนึ่งเครื่อง

“เรากำลังจัดส่งระบบ High-NA รุ่นแรกและได้ประกาศเรื่องนี้ในโพสต์โซเชียลมีเดีย ระบบดังกล่าวจะส่งมอบให้กับ Intel ตามแผนเดิมที่ประกาศไว้ก่อนหน้านี้” ASML กล่าวถึงการส่งมอบดังกล่าว

ในระบบ High-NA ยิ่งค่า NA สูงขึ้น ความละเอียดของรูปแบบที่แกะสลักบนเวเฟอร์ซิลิกอนก็จะสูงขึ้นตามไปด้วย ในขณะที่เครื่อง EUV ในปัจจุบันมีรูรับแสงขนาด 0.33 (เทียบเท่ากับความละเอียด 13 นาโนเมตร) เครื่อง High-NA จะมีรูรับแสงขนาด 0.55 (เทียบเท่ากับความละเอียด 8 นาโนเมตร) เมื่อถ่ายโอนรูปแบบความละเอียดสูงไปยังเวเฟอร์แล้ว โรงหล่ออาจไม่จำเป็นต้องนำเวเฟอร์ผ่านเครื่อง EUV สองครั้งเพื่อเพิ่มฟีเจอร์เพิ่มเติม ช่วยประหยัดทั้งเวลาและเงิน

เครื่อง EUV NA สูงมุ่งเน้นไปที่การลดขนาดของทรานซิสเตอร์และเพิ่มความหนาแน่นเพื่อบรรจุทรานซิสเตอร์ให้มากขึ้นภายในชิป ยิ่งชิปมีจำนวนทรานซิสเตอร์มากขึ้นเท่าใด ก็จะยิ่งมีประสิทธิภาพและประหยัดพลังงานมากขึ้นเท่านั้น ด้วยเครื่อง High-NA ทรานซิสเตอร์สามารถย่อขนาดลงได้ 1.7 เท่า โดยเพิ่มความหนาแน่นได้ 2.9 เท่า

เครื่อง High-NA EUV เวอร์ชันใหม่จะช่วยให้กระบวนการผลิตชิปขนาด 2 นาโนเมตรและต่ำกว่าเกิดขึ้นได้ เมื่อสัปดาห์ที่แล้ว TSMC และ Samsung Foundry ได้ประกาศแผนงานหลังการผลิต 2 นาโนเมตรของตน ทั้งสองวางแผนที่จะพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์โดยใช้กระบวนการ 1.4 นาโนเมตรภายในปี 2027 การผลิตชิป 2 นาโนเมตรคาดว่าจะเริ่มต้นในปี 2025 และเมื่อไม่กี่วันก่อนหน้านี้ TSMC อนุญาตให้ Apple ประเมินต้นแบบชิป 2 นาโนเมตร

การขนส่งเครื่อง EUV High-NA ไม่ใช่เรื่องง่ายเนื่องจากเครื่องต้องแบ่งออกเป็นตู้คอนเทนเนอร์ขนาดใหญ่ 13 ตู้และลังไม้ 250 ลัง การประกอบเครื่องจักรก็ยากมากเช่นกัน