معلومات تجعل من هاتف Galaxy S26 Ultra ترقية تستحق الترقية

وفقًا لمعلومات نشرها خبير تسريبات X، Ice Universe ، سيُزوَّد هاتف Galaxy S26 Ultra بذاكرة وصول عشوائي (RAM) متطورة من نوع LPDDR5X، تُتيح تشغيلًا أسرع وتستهلك طاقة أقل من الجيل السابق. وتحديدًا، سيستخدم المنتج ذاكرة وصول عشوائي (RAM) من نوع LPDDR5X بسرعات تصل إلى 10.7 جيجابايت في الثانية.

الصورة: ساموبيل

هذه هي السرعة القصوى لرقاقة LPDDR5X 1γ (1-gamma) التي أعلنت عنها شركة Micron في يونيو، والتي تعد بكفاءة طاقة أفضل بنسبة تصل إلى 20% مقارنةً بالجيل السابق. تشير السرعة القصوى المحددة وتوقيتاتها إلى أن هذه هي الرقاقة التي ستُستخدم في هاتف Galaxy S26 Ultra.

فوائد تقنية الرام الجديدة لهاتف Galaxy S26 Ultra

مقارنةً بهاتف Galaxy S25 Ultra، الذي لم يُعلن بعد عن سرعة ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) الرسمية، ولكن أكدت شركة Micron استخدامه لذاكرة LPDDR5X 1β (إصدار بيتا 1) بسرعة قصوى تبلغ 9.6 جيجابت في الثانية، فإن الترقية من 9.6 جيجابت في الثانية إلى 10.7 جيجابت في الثانية تُمثل زيادة بنسبة 11.5% في عرض النطاق الترددي. وبدمجها مع تصميم 1γ، من المتوقع أن يُؤدي ذلك إلى أداء أفضل.

بالنسبة للمستخدمين المحترفين، يُعد هذا خبرًا هامًا. فزيادة عرض النطاق الترددي تعني أن معالج الهاتف قادر على نقل البيانات بشكل أسرع، مما يدعم المهام الشاقة مثل تسجيل فيديو بدقة 8K، والألعاب عالية معدل الإطارات، وتشغيل ميزات الذكاء الاصطناعي مباشرةً على الجهاز. كما يُساعد الأداء المُحسّن في تقليل استنزاف البطارية أثناء هذه المهام، خاصةً مع تزايد اعتماد الذكاء الاصطناعي على تجربة سامسونج جالاكسي.

بالإضافة إلى ترقية ذاكرة الوصول العشوائي (RAM)، يُقال إن هاتف Galaxy S26 Ultra سيأتي بتحسينات أخرى، مثل معالج Snapdragon 8 Elite 2 من شركة TSMC، وهيكل أنحف، وشاشة أكبر بحواف رفيعة. ورغم أن سامسونج لم تؤكد أي معلومات، إلا أن هذه التسريبات تُظهر أن Galaxy S26 Ultra هاتفٌ يحمل العديد من ترقيات التكوين المهمة.